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J-GLOBAL ID：201302285928193240   整理番号：13A0009162

GaNナノピラーにおける歪緩和

Strain relaxation in GaN nanopillars

著者 (8件)： TSENG W. J. (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  GONZALEZ M. (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  DILLEMANS L. (Dep. of Physics and Astronomy, Katholieke Universiteit Leuven, 3001 Leuven, BEL) ,  CHENG K. (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  JIANG S. J. (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  VEREECKEN P. M. (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  BORGHS G. (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  LIETEN R. R. (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 25  ページ： 253102-253102-4  発行年： 2012年12月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,面内X線回折により,ナノ構造表面の歪状態を直接測定できることを実証した。高度に歪んだエピ層をドライエッチして,GaNテーパーナノピラーを作製した。ピラーの高さの関数として表面の歪は指数関数形の緩和を示した。緩和は単一の緩和パラメータで記述できる。また,ナノピラーの歪の緩和と分布をシミュレートした。歪緩和に対するピラー幾何学構造の影響を論じた。測定結果と一致して,歪の指数関数形の緩和が観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ナノ構造 ,  柱 ,  X線回折 ,  *格子歪 ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  ドライエッチング ,  緩和現象 ,  歪分布
準シソーラス用語： *ナノピラー ,  MOVPE ,  歪緩和

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  ナノピラー ,  歪緩和