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J-GLOBAL ID：201302285930208395   整理番号：13A1606300

薄膜有機デバイスについてのMott-Schottky解析を用いて抽出された意図的でないドーピング密度の妥当性について

On the validity of unintentional doping densities extracted using Mott-Schottky analysis for thin film organic devices

著者 (6件)： NIGAM Akash (IITB-Monash Res. Acad., IIT Bombay, Mumbai 400076, IND) ,  NIGAM Akash (Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai 400076, IND) ,  NIGAM Akash (Dep. of Electrical and Computer Systems Engineering, Monash Univ., Clayton, Victoria 3800, AUS) ,  PREMARATNE Malin (IITB-Monash Res. Acad., IIT Bombay, Mumbai 400076, IND) ,  PREMARATNE Malin (Dep. of Electrical and Computer Systems Engineering, Monash Univ., Clayton, Victoria 3800, AUS) ,  NAIR Pradeep R. (Center of Excellence in Nanoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai 400076, IND)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 14  号： 11  ページ： 2902-2907  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電子デバイスは,しばしば「意図的でないドーピング」の概念をもたらすと理解される。しかし,この論争の概念の適用可能性及び有用性は非常に明確ではなく,最近の多くの議論中にある。本研究では,慎重な実験と詳細な数値シミュレーションによって,この概念の妥当性を再評価した。具体的には,注入電極と意図的でないドーピングの役割(もしあれば)を解明するテストベッドとしてペンタセンデバイスの静電容量電圧(CV)測定を実施した。実際,その結果は,ペンタセンキャパシタのCVは,単にコンタクト電極の特性の観点から理解することができることを示している。意図的でないドーピングは,もし存在するなら,デバイスの性能に重要ではない役割を持つ。ここでの結論は,多くの場合,CVの結果の誤った解釈は,意図的でないドーピングの非物理的な値を導き,有機半導体デバイスの物理の基本的な理解,モデリング,そして特性評価に向けた明確な意味を持つであろうことを示している。したがって,辻褄の合った概念フレームワークを通して整合性のある解釈を提供することで,文献中での多くの曖昧さを解消するであろう。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *図化 ,  *ドーピング ,  有機材料 ,  *容量電圧特性 ,  電気接点 ,  電極 ,  *芳香族縮合化合物 ,  キャリア注入 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *Mott-Schottkyプロット ,  *薄膜デバイス ,  有機薄膜

分類 (3件)： LCR部品  (NA05030D) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 薄膜 ,  有機デバイス ,  解析 ,  意図 ,  ドーピング ,  密度 ,  妥当性