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J-GLOBAL ID：201302286154940869   整理番号：13A0566937

CdSe/ZnS量子ドットがp-nヘテロ接合有機ナノワイヤに及ぼすハイブリッド効果

Hybrid effects of CdSe/ZnS quantum dots on p-n heterojunction organic nanowire

著者 (8件)： LEE Seok Ho (Dep. of Physics, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR) ,  LEE Hyunsoo (Dep. of Physics, Univ. of Incheon, Incheon 406-772, KOR) ,  PARK Sung-yeoun (Dep. of Advanced Materials, Hannam Univ., Daejeon 305-811, KOR) ,  KIM Kihyun (Dep. of Physics, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR) ,  LEE Yong-baek (Dep. of Physics, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR) ,  KIM Jeongyong (Dep. of Physics, Univ. of Incheon, Incheon 406-772, KOR) ,  LEE Kwang-sup (Dep. of Advanced Materials, Hannam Univ., Daejeon 305-811, KOR) ,  JOO Jinsoo (Dep. of Physics, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 163  ページ： 1-6  発行年： 2013年01月01日 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-型ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)とn-型[6,6]-フェニル-C₆₁-酪酸メチルエステル(PCBM)からなる単一ナノワイア(NW)の光学的および光応答性電気的性質が,官能化CdSe/ZnS量子ドットとのハイブリッド化により変化することを明らかにした。QDsのNWsとのハイブリッド化のために,表面修飾およびバルキー浸透法を採用した。QD-浸透P3HT/PCBM単一層NWでは,暗所および照明条件下での電流密度は,明らかに強化され,そして,ナノスケール光ルミネセンス(PL)強さは電荷移動効果のために減少した。QDsで修飾されたP3HT/PCBM NWsについては,電流密度はあまり変わらなかったが,QDsとNWsのPL特徴はエネルギー移動効果によって同時に変わった。時間分解PLスペクトルから,ハイブリッドNWs中のQDsの励起子寿命は,NWsとのハイブリッド化を通して大幅に減少し,そして,電荷および/またはエネルギー移動効果を裏付けていた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ハイブリッド複合材料 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *量子ドット ,  *セレン化カドミウム ,  *硫化亜鉛 ,  ヘテロ接合 ,  *ナノワイヤ ,  エネルギー移動 ,  電荷移動 ,  電流密度 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 有機無機ハイブリッド複合材料 ,  P3HT【重合体】 ,  *CdSe/ZnS量子ドット ,  ヘテロ接合ナノワイヤ

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdSe ,  ZnS ,  量子ドット ,  P-Nヘテロ接合 ,  ナノワイヤ