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J-GLOBAL ID：201302286241256729   整理番号：13A1554020

高性能巨大誘電率材料のための電子ピン止めされた欠陥双極子

Electron-pinned defect-dipoles for high-performance colossal permittivity materials

著者 (13件)： HU Wanbiao (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  LIU Yun (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  WITHERS Ray L. (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  FRANKCOMBE Terry J. (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  NOREN Lasse (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  SNASHALL Amanda (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  KITCHIN Melanie (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  SMITH Paul (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  GONG Bill (Univ. New South Wales, New South Wales, AUS) ,  CHEN Hua (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  SCHIEMER Jason (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  BRINK Frank (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS) ,  WONG-LEUNG Jennifer (Australian National Univ., Australian Capital Territory, AUS)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 12  号： 9  ページ： 821-826  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 巨大誘電率(CP)材料として,電子ピン止めされた欠陥双極子を利用した材料を提案した。固相反応法によりIn,Nb添加および両者の共添加TiO₂を作製し,誘電特性の評価と共にXPSおよびEPR測定を行った。(In+Nb)共添加試料では,80~450Kの温度範囲で低い誘電損失と温度および周波数に依存しない10⁴を超える高誘電率が得られた。密度関数理論と欠陥分析の結果,2個の3価In,酸素空孔および3価のTiから構成される三角形状,2個の5価Nbと3価Tiおよび3価Ti,3価Inあるいは4価Tiのいずれかから構成されるダイヤモンド型の複合欠陥が強く局在化した電子を含み,その結果得られる双極子がCPの原因であることを明らかにした。

シソーラス用語： *強誘電体 ,  誘電率 ,  *酸化チタン ,  ドーパント ,  *インジウム ,  *ネオジム ,  ドーピング ,  誘電性 ,  温度依存性 ,  誘電損失 ,  周波数依存性 ,  複合欠陥 ,  計算化学 ,  原子構造

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  巨大誘電率 ,  電子 ,  ピン止め ,  欠陥双極子