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J-GLOBAL ID：201302286404179085   整理番号：13A1754198

7,14-ビス(エチニル)ジベンゾ[b,def]クリセン類の結晶充填,薄膜特性及びOFET正孔移動度への四面体キャッピング基とデバイス処理条件の影響

The impact of tetrahedral capping groups and device processing conditions on the crystal packing, thin film features and OFET hole mobility of 7,14-bis(ethynyl)-dibenzo[b, def]chrysenes

著者 (11件)： SHU Ying (CSIRO, VIC, AUS) ,  COLLIS Gavin E. (CSIRO, VIC, AUS) ,  DUNN Christopher J. (CSIRO, VIC, AUS) ,  KEMPPINEN Peter (CSIRO, VIC, AUS) ,  WINZENBERG Kevin N. (CSIRO, VIC, AUS) ,  WILLIAMSON Rachel M. (Macromolecular and Soft X-ray Beamlines, VIC, AUS) ,  BILIC Ante (CSIRO, VIC, AUS) ,  SINGH Th. Birendra (CSIRO, VIC, AUS) ,  BOWN Mark (CSIRO, VIC, AUS) ,  MCNEILL Christopher R. (Monash Univ., VIC, AUS) ,  THOMSEN Lars (Macromolecular and Soft X-ray Beamlines, VIC, AUS)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1  号： 39  ページ： 6299-6307  発行年： 2013年10月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四面体キャップドアセチレンジベンゾクリセン類系列をモデル化し,合成した。得られた化合物は電子構造は非常に類似しているが,キャッピング基により物理的性質は異なる。分子構造と有機トランジスタでの電荷移動度との関係を研究した。X線吸収端微細構造分光法,走査電子顕微鏡,原子間力顕微鏡及びX線回折によるキャラクタリゼーションとOFET正孔移動度データを組み合わせて,分子構造,分子充填,基板誘電体及びトランジスタ正孔移動度間の相互作用を考察した。SiO₂-ODTS基板上にπ-πオーバラップ度の高い一次元スリップスタック充填で製膜した,7,14-ビス((トリエチルシリル)エチニル)ジベンゾ[b,def]クリセン(TMS-DBC)で,正孔移動度が最大となった。基板温度と蒸着速度を調整すると,さらに正孔移動度が増加した。

シソーラス用語： *芳香族縮合炭化水素 ,  結晶充填 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *キャリア移動度 ,  四面体 ,  XANES ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  基板温度 ,  誘電体 ,  二酸化ケイ素 ,  堆積速度 ,  *キャップ構造
準シソーラス用語： X線吸収端微細構造 ,  蒸着速度 ,  *正孔移動度 ,  *有機トランジスタ

分類 (3件)： 四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 7,14-ビス(トリメチルシリルエチニル)ジベンゾ[b,def]クリセン

タイトルに関連する用語 (10件)： ビス ,  DEF ,  クリセン類 ,  結晶充填 ,  膜特性 ,  OFET ,  正孔移動度 ,  四面体 ,  キャッピング ,  処理条件