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J-GLOBAL ID：201302286593231793   整理番号：13A0955205

結晶性α-Sm₂S₃ナノワイヤー:特異な本質的に縮退した半導体の構造と光学的性質

Crystalline α-Sm₂S₃ nanowires: Structure and optical properties of an unusual intrinsically degenerate semiconductor

著者 (6件)： MARIN Chris M. (Dep. of Chemistry, Univ. of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE 68588, USA) ,  WANG Lu (Dep. of Physics, Univ. of Nebraska at Omaha, Omaha, NE 68182, USA) ,  BREWER Joseph R. (Dep. of Chemistry, Univ. of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE 68588, USA) ,  MEI Wai-ning (Dep. of Physics, Univ. of Nebraska at Omaha, Omaha, NE 68182, USA) ,  CHEUNG Chin Li (Dep. of Chemistry, Univ. of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE 68588, USA) ,  CHEUNG Chin Li (Nebraska Center for Materials and Nanoscience, Lincoln, NE 68588, USA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 563  ページ： 293-299  発行年： 2013年06月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランタニド硫化物は赤外から可視領域へのバンドギャップと優れた熱電特性のため有望な半導体とされてきた。しかし,その応用は合成に時間を要し,電子物性の十分な理解不足のため限定的であった。これらの欠点を解決するため,従来の合成法では4~7日を必要としたα-Sm₂S₃ナノワイヤーの薄膜を数時間以内で得る迅速な化学気相成長法について報告した。更に,密度汎関数理論を用いてα-Sm₂S₃の電子バンド構造を初めて計算し,UV-可視吸収スペクトルの解釈を試みた。α-Sm₂S₃のバンド状態の理論的直接ギャップは1.7eVであることがわかった。計算結果から,このギャップは結晶構造に系統的な硫黄空孔をサイトの導入で太陽光に最適な~1.3eVに調節可能であることを示した。最も重要なのは,ランタニド硫化物試料で長らく観測された縮退半導体ライク挙動が理想的なα-Sm₂S₃構造にも存在することを示し,観測したp型挙動は光学的に活性な1.7eVバンド端から著しく低く位置するフェルミ準位に由来する材料の特異な本質的特性による。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化物 ,  *サマリウム化合物 ,  結晶 ,  *ナノワイヤ ,  *化合物半導体 ,  *縮退 ,  構造 ,  *光学的性質 ,  *化学蒸着 ,  基板 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  石英ガラス ,  塩化サマリウム ,  硫黄 ,  水素 ,  バンドギャップ ,  電気特性 ,  熱電効果 ,  密度汎関数法 ,  *バンド構造 ,  *紫外可視吸収スペクトル
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  Siウエハ ,  縮退型半導体 ,  熱電特性 ,  密度汎関数理論 ,  硫化サマリウム

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶性 ,  ナノワイヤー ,  縮退 ,  光学的性質