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J-GLOBAL ID：201302286626279681   整理番号：13A1843769

銀表面上でのSi超薄膜の成長:Siに誘起されたAg(110)再構成を示す証拠

Growth of Si ultrathin films on silver surfaces: Evidence of an Ag(110) reconstruction induced by Si

著者 (17件)： BERNARD Romain ,  LEONI Thomas (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  WILSON Axel ,  LELAIDIER Tony (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  SAHAF Houda (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  MOYEN Eric (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  ASSAUD Loiec (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  SANTINACCI Lionel (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  LEROY Federic (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  CHEYNIS Fabien (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  RANGUIS Alain (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  JAMGOTCHIAN Haik (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  BECKER Conrad (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  BORENSZTEIN Yves ,  HANBRUECKEN Hargrit (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  PREVOT Geoffroy ,  MASSON Laurence (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 12  ページ： 121411.1-121411.5  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag(110)表面上でSiが成長しているとき,Agの表面構造を走査型トンネル顕微鏡とすれすれ入射X線回折により調べた。室温と190°CでSiを堆積すると,Siナノリボンが成長し,そのためAg(110)基板の構造が変調されることを示した。Siナノリボンが成長して,Ag原子が解放され,Ag(110)表面が再構成することを示す走査型トンネル顕微鏡とすれすれ入射X線回折の実験証拠を得た。この結果は,ナノリボンの下でAg層のミッシングロー再構成が起こることと一致する。これはシリセンモデルにより解釈された非再構成Ag(110)上のSi成長の理解に役立つ。

シソーラス用語： *銀 ,  *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  超薄膜 ,  *表面再構成 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  すれすれ入射 ,  X線回折 ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  真空蒸着
準シソーラス用語： すれすれ入射X線回折 ,  ナノリボン

分類 (1件)： 金属の表面構造  (BK15020P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 銀 ,  Si ,  超薄膜 ,  成長 ,  誘起 ,  Ag ,  再構成 ,  証拠