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J-GLOBAL ID：201302286652670984   整理番号：13A0975142

無秩序粒状材料とトンネル接合接触での磁気コンダクタンス

Magnetoconductance at tunnel junction contacts with disordered granular materials

著者 (6件)： TIE Monique (Dep. of Chemistry and Inst. of Optical Sciences, Univ. of Toronto, Toronto, Ontario, Canada, M5S 1A7) ,  JOANIS Patrick (Dep. of Chemistry and Inst. of Optical Sciences, Univ. of Toronto, Toronto, Ontario, Canada, M5S 1A7) ,  FENG Haoyu (Dep. of Chemistry and Inst. of Optical Sciences, Univ. of Toronto, Toronto, Ontario, Canada, M5S 1A7) ,  FENG Min (Dep. of Chemistry and Inst. of Optical Sciences, Univ. of Toronto, Toronto, Ontario, Canada, M5S 1A7) ,  NIEWCZAS Marek (Dep. of Materials Sci. and Engineering, McMaster Univ., Hamilton, Ontario, Canada, L8S 4L7) ,  DHIRANI Al-amin (Dep. of Chemistry and Inst. of Optical Sciences, Univ. of Toronto, Toronto, Ontario, Canada, M5S 1A7)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 534  ページ： 666-672  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無秩序正常(DN)材料とのトンネル接合接触で発生しうる磁気コンダクタンスを探究した。原形DN材料そして異なる型のトンネル接触として自己集合1,4-ブタンジチオール架橋金ナノ粒子を用いた。一つの型は金電極/1,4-ブタンジチオールに生来のトンネル接合接触であり,他はアルミニウム/アルミニウム酸化物層で自然に生じるものである。対照測定のために,トンネル接合接触の代わりに臨界温度T_cの上下での正常金属および半導体接触も研究した。接触抵抗が重要なナノ粒子膜体制,すなわち,膜が金属的であり,低抵抗をもつときに焦点を絞った。この体制では,半導体接触がT_cより下での”無反射トンネル効果”に起因するゼロ場磁気コンダクタンスの増強を生じさせた。正常金属接触は有意な磁気コンダクタンスを生成しなかった。半導体が正常金属になるT_cより上での半導体接触に対してもこれは真実である。正常金属とDN材料間にトンネル接合が存在するとき,約10Kより下で約10%のゼロ場磁気コンダクタンス抑制が現われた。無秩序粒状材料におけるコヒーレント後方散乱,フィルタリングそして平面トンネル接合を横切る電流の流れの局所的性質に基づいてトンネル接合に媒介される磁気コンダクタンスの機構を提案した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  *コンダクタンス ,  *ナノ粒子 ,  チオール ,  *有機半導体 ,  接触抵抗 ,  膜電極 ,  低温 ,  *金 ,  *無秩序系 ,  アルミニウム ,  酸化アルミニウム
準シソーラス用語： *磁気コンダクタンス

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (1件)： 1,4-ブタンジチオール

タイトルに関連する用語 (3件)： 粒状材料 ,  トンネル接合 ,  磁気コンダクタンス