文献

J-GLOBAL ID：201302286748544408   整理番号：13A0742104

III-V族/IV族ヘテロ構造ハイブリッドナノワイヤの形態を制御する戦略

Strategies To Control Morphology in Hybrid Group III-V/Group IV Heterostructure Nanowires

著者 (7件)： HILLERICH Karla (Solid State Physics, Lund, SWE) ,  DICK Kimberly A. (Solid State Physics, Lund, SWE) ,  DICK Kimberly A. (Lund Univ., Lund, SWE) ,  WEN Cheng-Yen (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  REUTER Mark C. (IBM Res. Div., New York, USA) ,  KODAMBAKA Suneel (Univ. California Los Angeles, California, USA) ,  ROSS Frances M. (IBM Res. Div., New York, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 3  ページ： 903-908  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧金属-有機気相エピタクシ(LP MOVPE),低圧条件下の化学蒸着(CVD)およびCVDも実行することができる超高真空透過型電子顕微鏡法を用いてAuナノ粒子を触媒としてGaP/Si,GaAs/GeおよびGaAs/Siヘテロ構造ハイブリッドナノワイヤを成長させ,ナノワイヤ形態に対する広い範囲の操作パラメータの影響を調べた。ナノワイヤの形態は操作条件に応じて変化するがヘテロ界面近傍において欠陥が形成される一般的な傾向があった。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *ナノワイヤ ,  金化合物 ,  遷移金属触媒 ,  MOCVD ,  透過型電子顕微鏡 ,  化合物半導体 ,  *リン化ガリウム ,  *ケイ素 ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： III-V化合物半導体 ,  MOVPE ,  金触媒

分類 (3件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ構造 ,  ナノワイヤ ,  形態 ,  戦略