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J-GLOBAL ID：201302286791378163   整理番号：13A0975072

同時蒸着Cu₂ZnGeSe₄薄膜の作製と特性評価

Preparation and characterization of co-evaporated Cu₂ZnGeSe₄ thin films

著者 (4件)： UDAY BHASKAR P. ,  SURESH BABU G. ,  KISHORE KUMAR Y.b. ,  SUNDARA RAJA V.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 534  ページ： 249-254  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnGeSe₄(CZGSe)は,薄膜ヘテロ接合太陽電池における太陽電池吸収層に対する有望な材料である。基板温度(523K~723K)がCZGSe膜の成長に及ぼす効果を,それらの構造,組成,形態的および光学特性を調べた。出発Cu量を10%減らして得られたCZGSe膜は,硫スズ鉱構造を持つ単一相であることが判明し,格子パラメータは,a=0.563nm,c=1.10nmであった。CZGSe膜の直接光学バンドギャップは,1.63eVであることが見出された。この値は,最高の光電変換効率に対する理想的なバンドギャップ1.50eVに近い。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 銅 ,  亜鉛 ,  ゲルマニウム ,  セレン ,  銅化合物 ,  亜鉛化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  セレン化物 ,  薄膜 ,  *半導体薄膜 ,  *同時蒸着 ,  *キャラクタリゼーション ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  光学ギャップ ,  太陽電池 ,  吸収体 ,  基板温度 ,  温度依存性 ,  構造特性 ,  組成 ,  形態 ,  光学的性質 ,  効率 ,  微細構造 ,  光吸収 ,  蒸発装置
準シソーラス用語： Cu ,  Ge ,  Raman分光 ,  Se ,  Zn ,  光学バンドギャップ ,  光学特性 ,  光電変換効率 ,  蒸発源 ,  *特性評価 ,  ヘテロ接合太陽電池

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  その他の物理的・機械的性質  (WB02040F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 同時蒸着 ,  薄膜 ,  作製 ,  特性評価