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J-GLOBAL ID：201302286877240334   整理番号：13A1773950

ナノスケールデバイス用の制御キラリティ,成長位置,および面内配列の成長したままの単層カーボンナノチューブの製作

Fabrication of as-grown Single-Walled Carbon Nanotubes with Controlled Chirality, Growth Position, and in-plane Alignment for Nanoscale Devices

著者 (7件)： IWATA Nobuyuki (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  SAGARA Takumi (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  TSUDA Yusaku (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  YOSHIDA Keisuke (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  ISHII Koji (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  YAJIMA Hirofumi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Hiroshi (Nihon Univ., Chiba, JPN)
資料名： Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM)  (Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM))
ページ： ROMBUNNO.19P-PM1-38  発行年： 2013年 
JST資料番号： M20130006  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  性質 ,  位置 ,  配列 ,  ナノ構造 ,  材料 ,  自由電子レーザ ,  表面処理 ,  Raman分光法 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  化学蒸着 ,  *製造 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： キラリティ ,  ナノスケール材料

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： キラリティ ,  成長 ,  単層カーボンナノチューブ ,  製作