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J-GLOBAL ID：201302286882897414   整理番号：13A0611675

単層並びに多重層グラフェン上に窒素イオンをキャスチング後のアニーリング効果

Annealing Effects after Nitrogen Ion Casting on Monolayer and Multilayer Graphene

著者 (6件)： KIM Ki-jeong (Pohang Accelerator Lab. (PAL), Pohang, KOR) ,  YANG Sena (Sookmyung Women’s Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Youngchan (Sookmyung Women’s Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Myungjin (Sookmyung Women’s Univ., Seoul, KOR) ,  KIM BongSoo (Pohang Accelerator Lab. (PAL), Pohang, KOR) ,  LEE Hangil (Sookmyung Women’s Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 117  号： 5  ページ： 2129-2134  発行年： 2013年02月07日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面のダメージを最小にする為,単層並びに多重層グラフェン表面特性を変える方法として低エネルギー窒素イオン(100eV)を用いた。更にSiC(0001)上の数層のエピタキシャルグラフェン(EG)上にこの様な変化を起こす三種類(N₂,ピリジン窒素とグラファイト状窒素)の化学種を同定した。引き続いて行った1300K迄のサンプルアニーリングに依ってこの表面特性が変化するのを追求し,そしてこれらの特性をコアレベル光電子分光法(CLPES)でモニタした。仕事関数変化(ΔΦ)測定に依り,双方の系はN₂イオン照射後仕事関数値が4.71eV(単層EG)と4.87eV(多重層)であるp型ドーピング特性を示唆した。面白いことに単層はそのp型ドーピング特性を維持したが双方の系を1300K迄焼成することで電荷移動の不一致の為多重層EGはp型からn型へドーピング特性を変化させた。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *多層 ,  ドーピング ,  *アニーリング【現象】 ,  表面性状 ,  炭化ケイ素 ,  結晶面 ,  層 ,  光電子分光法 ,  内殻準位 ,  仕事関数 ,  グラフェン
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  *単層グラフェン ,  *窒素ドーピング

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  多重層 ,  グラフェン ,  窒素イオン ,  キャスチング ,  アニーリング効果