文献

J-GLOBAL ID：201302286911716262   整理番号：13A1591373

Al/(p)PbS Schottky障壁接合の生成および電気特性

Synthesis and electrical characteristics of Al/(p)PbS Schottky barrier junction

著者 (2件)： HUSSAIN Amir ,  RAHMAN Atowar
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 16  号： 6  ページ： 1918-1924  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酢酸鉛およびチオ尿素を用いて318Kの浴温度で化学浴析出法によりナノ結晶硫化鉛薄膜を作製する。裸ガラス基板上に析出した本薄膜を,X線回折(XRD),走査電子顕微鏡法(SEM)および透過電子顕微鏡法(TEM)で特性評価する。インジウムすず酸化物(ITO)基板上にAl/(p)PbS Schottky障壁接合を作製し,その接合パラメータを調べる。この接合の電流-電圧(I-V)特性を300-340Kの温度範囲で測定し,接合パラメータを計算する。異なる温度での理想計数(n)および障壁高さ(φ_b)は,それぞれ,5.628から4.810まで,0.780eVから0.792eVまで変わると分かった。理想係数は温度上昇と共に減少するが,障壁高さは増加することを観測した。容量-電圧(C-V)特性から得た障壁高さとI-V特性から得た値との相違を解析する。更に,この接合の直列抵抗R_sは温度に強く依存することが分かった。容量-電圧(C-V)プロットから決定したキャリア濃度は10¹⁶/cm³程度であると分かった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 硫化鉛 ,  *Schottky障壁 ,  電気特性 ,  液相成長 ,  *薄膜成長 ,  *化合物半導体 ,  ナノ構造 ,  X線回折 ,  *顕微鏡観察 ,  微細構造 ,  構造解析 ,  バンド構造 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】 ,  化学浴析出法

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  PbS ,  Schottky障壁 ,  電気特性