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J-GLOBAL ID:201302287005513903   整理番号:13A0145485

レーザアブレーションによるBi量子ドットにおける近赤外線誘起光加熱

Near infrared induced optical heating in laser ablated Bi quantum dots
著者 (3件):
資料名:
巻: 390  号:ページ: 11-16  発行年: 2013年01月15日 
JST資料番号: C0279A  ISSN: 0021-9797  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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液体パルスレーザアブレーション法により,範囲5~20nm直径を持つ化学的に純粋な単分散球状ビスマス(Bi)ナノ粒子を調製した。ナノ粒子サイズに及ぼすアブレーション時間や界面活性剤(C12H25NaO4S,ラウリル硫酸ナトリウム)の影響を研究し,共にNPサイズ,結果的に光学特性の制御で重要な役割を果すと分った。約980nmで認めた吸収バンドは半金属から半導体への転移に起因した。興味深いことに,調製半導体Bi NPは,波長975nmレーザ照射時に強く発熱すると分ったが,可能な生体医療応用,つまり低温症治療に有望である。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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ルミネセンス一般  ,  無機化合物一般及び元素  ,  レーザの応用 
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