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J-GLOBAL ID：201302287094062561   整理番号：13A1682593

遷移金属ジカルコゲナイド単一層をベースにしたヘテロ接合トンネル電界効果トランジスタのデバイス性能

Device Performance of Heterojunction Tunneling Field-Effect Transistors Based on Transition Metal Dichalcogenide Monolayer

著者 (3件)： LAM Kai-Tak (Univ. Florida, FL, USA) ,  CAO Xi (Univ. Florida, FL, USA) ,  GUO Jing (Univ. Florida, FL, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 10  ページ： 1331-1333  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MX₂(遷移金属ジカルコゲナイド)TFETのバリスティック素子性能に関するソースチャネル界面でのII型ヘテロ接合の作用を研究した。同じI_ON/I_OFF比で,ヘテロ接合はホモジニアスデバイスと比べて,I_ONを大幅に増やした。性能強化はトンネリング距離が減少したためである。面内ヘテロ結合を,成長プロセスの他の段で使う異なる遷移金属の化学気相成長法で製作した。本稿でのサブ閾値スロープを60~80mV/decとしたが,これはドーピング濃度によって改良できる。単一層MX₂ TFETデバイス性能改良のために,MX₂材料及びヘテロ接合のバンドギャップ値の大きさを活用できる。

シソーラス用語： カルコゲン化物 ,  *遷移金属 ,  *単一層 ,  *ヘテロ接合 ,  FET【トランジスタ】 ,  化学蒸着 ,  閾値
準シソーラス用語： *カルコゲニド ,  サブ閾値 ,  *トンネルFET ,  化学気相成長法

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  単一層 ,  ヘテロ接合 ,  トンネル電界効果トランジスタ