文献

J-GLOBAL ID：201302287373066976   整理番号：13A0505091

誘導結合プラズマドライエッチングよってエッチングするInSb技術に関する研究

Study on Technology of InSb Etched by Inductive Couple Plasmas Dry Etching

著者 (2件)： Xu Shuli (China airborne Missile Acad., Luoyang) ,  Zhang Guodong (China airborne Missile Acad., Luoyang)
資料名： Hongwai Jishu  (Hongwai Jishu)
巻： 34  号： 3  ページ： 151-154  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2520A  ISSN： 1001-8891  CODEN： HOJIEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： InSb FPA検出器の発展として,ウエットエッチングの等方性が交差-エッチングに終わるので,ウエットエッチングは大きな構成と高密度InSb FPAsのために画素範囲の下で連続的スケーリングの必要条件を満たすことが可能ではなかった。InSbの誘導結合プラズマエッチングを,Ar/CH_4/H_2よって実行した。エッチング比率と形態に関して工程因子Rfバイアス,反応容器プレスとAr成分の効果を検討する。そして,さらに,除去方法を,本論文で検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *誘導結合プラズマ ,  *ドライエッチング ,  アンチモン化インジウム ,  等方性 ,  検出器 ,  画素 ,  必要条件
準シソーラス用語： InSb

分類 (1件)： プラズマ一般  (BJ02010B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘導結合プラズマ ,  ドライエッチング ,  エッチング ,  InSb ,  研究