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J-GLOBAL ID：201302287394893635   整理番号：13A0991806

電子ビーム融解シリコンインゴット中のAlの分布についての研究

Research on distribution of aluminum in electron beam melted silicon ingot

著者 (10件)： JIANG Dachuan (School of Materials Sci. and Engineering, Dalian Univ. of Technol., Dalian 116023, CHN) ,  JIANG Dachuan (Key Lab. for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, CHN) ,  SHI Shuang (School of Materials Sci. and Engineering, Dalian Univ. of Technol., Dalian 116023, CHN) ,  SHI Shuang (Key Lab. for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, CHN) ,  TAN Yi (School of Materials Sci. and Engineering, Dalian Univ. of Technol., Dalian 116023, CHN) ,  TAN Yi (Key Lab. for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, CHN) ,  PANG Dayu (School of Materials Sci. and Engineering, Dalian Univ. of Technol., Dalian 116023, CHN) ,  PANG Dayu (Key Lab. for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, CHN) ,  DONG Wei (School of Materials Sci. and Engineering, Dalian Univ. of Technol., Dalian 116023, CHN) ,  DONG Wei (Key Lab. for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, CHN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 96  ページ： 27-31  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 冶金級シリコンの精製,特にアルミニウムの除去,を電子ビーム融解及び凝固により調べた。少量のシリコン原材料を融解時間は同じだが凝固時間を変えて電子ビーム炉中で融解し,シリコンインゴット中のAlの分布を得た。異なったステージにおける除去メカニズムについても議論した。その結果,融解プロセスの間のAl除去は蒸発にのみ依存し,凝固プロセスの間は偏析と蒸発両者に依存することが分かった。Alの分布は凝固時間が600秒のとき底部から頂部へはっきりした増加傾向を見せた。ほとんどの領域における除去効率は瞬間的に凝固させたインゴット中のそれに近いが,エネルギー消費はより少なく,この方法はシリコン純化のための効果的な方法であると考えられる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電子ビーム融解 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  インゴット ,  *精製 ,  *アルミニウム ,  *不純物分布 ,  除去 ,  不純物 ,  *凝固 ,  蒸発 ,  偏析
準シソーラス用語： 不純物除去

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子ビーム融解 ,  シリコン ,  インゴット ,  Al ,  分布 ,  研究