文献

J-GLOBAL ID：201302287410999228   整理番号：13A1126282

(InAs)_1/(GaSb)_1超格子ナノワイヤの第一原理研究

First-principles study of(InAs)_1/(GaSb)_1 superlattice nanowires

著者 (2件)： Sun Weifeng (Key Lab. of Engineering Dielectrics and Its Application,Ministry of Education,Heilongjiang Provincial Key Lab. of ...) ,  Zheng Xiaoxia (Dep. of Computer Sci. and Technol.,Heilongjiang Inst. of Technol., Harbin)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 11  ページ： 117103-1-117103-10  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 活性領域と接続部分として,半導体ナノワイヤは1つの一次元の構造に電子運動と原子の周期を制限することに有利である理想的形態を有した。ナノワイヤにおける材料組成の効果的選択はバルク材料の特性を解析することによって,低次元の構造の利点を強化することができた。さらに,このナノワイヤ特性を内部的か固有の特性(例えば直径,結晶学的成長方向,構造相,表面結晶面または飽和度)を制御することよって,また外部影響(例えば電気的,磁気的,熱的力場)を適用することによって調整することもできた。塊状InAsとGaSbは近似的格子定数を有して,それによって,最後に優れた赤外線の光電子材料に成長することができるInAs/GaSbヘテロ構造に関する小さな格子不整合に終わった。さらに,塊状InAsは二成分III~Vの化合物半導体で最も低い電子有効質量を有して,InAs/GaSb超格子のInAs層にほとんど分布する電子に関して高い輸送特性に導いた。現研究において,[001]と[111]結晶学的ワイアー軸線を有する亜鉛混合物(InAs)_1/_1(GaSb)超格子ナノワイヤ(サブスクリプトは分子的か二重原子の層の数を意味する)を種々のナノワイヤ直径(0.5から2.0nmまで)の規則と共に,それらの構造的,電子的,機械的特性に関する第一原理評価によって研究した。著者らは外部力から応力影響についても解析して,変形ポテンシャルを測定するために,ワイアー軸方向における歪による電子バンド端部変化を調査した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *第一原理 ,  ナノワイヤ ,  アンチモン化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  超格子 ,  変形ポテンシャル ,  化合物半導体 ,  光電子 ,  素子構造 ,  機械的性質 ,  格子不整合 ,  特性 ,  格子定数
準シソーラス用語： GaSb ,  InAs ,  ヘテロ構造 ,  機械的特性 ,  輸送特性

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  ナノワイヤ ,  第一原理 ,  研究