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J-GLOBAL ID：201302287513846993   整理番号：13A0975053

噴霧熱分解Ag-N共ドープp-タイプZnO薄膜の調製と構造や表面形態,光電気的特性の研究

Spray pyrolized Ag-N co-doped p-type ZnO thin films’ preparation and study of their structural, surface morphology and opto-electrical properties

著者 (7件)： ISLAM M. Bodiul (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Rajshahi, Rajshahi-6205, Bangladesh) ,  RAHMAN M. Mozibur (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Rajshahi, Rajshahi-6205, Bangladesh) ,  KHAN M.k.r. (Dep. of Physics, Univ. of Rajshahi, Rajshahi-6205, Bangladesh) ,  HALIM M.a. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Rajshahi, Rajshahi-6205, Bangladesh) ,  SATTAR M.a. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Rajshahi, Rajshahi-6205, Bangladesh) ,  SAHA Dilip Kumar (Atomic Energy Commission (AEC), Shahbag, Dhaka-1000, Bangladesh) ,  HAKIM M.a. (Atomic Energy Commission (AEC), Shahbag, Dhaka-1000, Bangladesh)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 534  ページ： 137-143  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究は,噴霧熱分解技法を使用してAg-N共ドープによりp-タイプZnO材料の作製と構造や表面形態と光電気的性質の特性化に焦点を合わせた。ホール測定は,Ag-N共ドープZnO薄膜はp-タイプの材料であり,Nの濃度を変えることなく,2.5mol%のAgドーピングについて,最高の移動度が得られる。膜の抵抗率はドーピングレベルに依存して,400°Cの蒸着温度で2.5mol%のAgドーピングで4.09×10¹⁶cm^-3のキャリア濃度を持つ最小値(ρ≒1.59Ωcm)を示す。X線回折研究は,2.5mol%までのAgドーピングレベルの酸化亜鉛の単一相を示し,その後は酸化銀の相が現れ,2.5mol%のAgドーピングレベルが最適条件であると確認される。エイジングはAg-N共ドープZnO膜のp-型特性に影響しない。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： エレクトロセラミック ,  *化合物半導体 ,  P型半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーパント ,  銀 ,  窒素 ,  共処理 ,  鉱物合成 ,  噴霧法 ,  ドーピング ,  添加物効果 ,  キャリア移動度 ,  電気抵抗 ,  鉱物分析

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 噴霧熱分解 ,  Ag ,  ドープ ,  タイプ ,  ZnO薄膜 ,  調製 ,  表面形態 ,  電気的特性 ,  研究