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J-GLOBAL ID：201302287529372282   整理番号：13A1386333

基板からのドーパント拡散によるドーピング ドーピングZnOナノワイヤ合成

Doping by diffusion of dopants from the substrate: synthesis of doped ZnO nanowires

著者 (3件)： SUGAVANESHWAR R. P. (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  GOSWAMI Gopal Krishna (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  NANDA Karuna Kar (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1  号： 6  ページ： 1066-1069  発行年： 2013年02月14日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOはオプトエレクトロニクス応用で有望な材料の一つだが,本質的にN型なので,多くの研究がP型ZnOを合成するために行われた。本報では,蒸気輸送法により成長させたZnOナノワイヤの基板支援ドーピングを述べた。多層カーボンナノチューブ(MWCNT)やソーダ石灰ガラス(SLG)上でナノワイヤを触媒無しで成長させ,MWCNTから炭素,SLGからナトリウムを,成長中にZnOへ拡散,均一分散させドーピングした。一般的な外部ドーパント源を要せず,ドーピングZnOナノワイヤが得られるのが,本法関連の利点である。成長条件変更により,直径,長さ(つまりアスペクト比)を容易に変えられる。両ドーピングZnOの輸送研究結果はZnOのP型特性を裏付け,炭素ドーピングZnOのP型特性は8か月間安定だった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノワイヤ ,  *ドーパント ,  *炭素 ,  ナトリウム ,  *基板 ,  電気装置部品 ,  ソーダ石灰ガラス ,  *多層カーボンナノチューブ ,  *拡散 ,  アスペクト比 ,  P型半導体
準シソーラス用語： ガラス基板

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドーパント ,  拡散 ,  ドーピング ,  ZnOナノワイヤ