文献

J-GLOBAL ID：201302287644333851   整理番号：13A0895897

SnO₂薄膜における高速重イオン誘起の構造的,光学的及び電気的性質

Swift heavy ion provoked structural, optical and electrical properties in SnO₂ thin films

著者 (5件)： ABHIRAMI K. M. (Kongunadu Arts and Sci. Coll., PG and Res. Dep. of Physics, 641029, Coimbatore, Tamilnadu, IND) ,  MATHESWARAN P. (Kongunadu Arts and Sci. Coll., PG and Res. Dep. of Physics, 641029, Coimbatore, Tamilnadu, IND) ,  GOKUL B. (Kongunadu Arts and Sci. Coll., PG and Res. Dep. of Physics, 641029, Coimbatore, Tamilnadu, IND) ,  SATHYAMOORTHY R. (Kongunadu Arts and Sci. Coll., PG and Res. Dep. of Physics, 641029, Coimbatore, Tamilnadu, IND) ,  ASOKAN K. (Inter Univ. Accelerator Centre, Materials Sci. Div., Aruna Asaf Ali Marg, 110067, New Delhi, IND)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 111  号： 4  ページ： 1175-1180  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板上に300°Cで反応性熱蒸着によって成長させ,600°CでアニールしたSnO₂薄膜を120MeV Ag⁹⁺イオンで照射した。照射は格子無秩序と結晶性の抑制を誘起することは知られているが,著者らはある照射フルエンスにおいて結晶粒粗大化を観察した。X線回折(XRD)は薄膜の結晶性を明らかにした。照射薄膜についてScherrerの公式で推定された粒子サイズは10~25nmの範囲であった。微結晶サイズはフルエンスが1×10¹²イオンcm^-2になるまではその増加と共に増加し,その後減少し始めた。原子間力顕微鏡(AFM)の結果は1×10¹¹イオンcm^-2から1×10¹³イオンcm^-2のフルエンスで照射された薄膜についてナノ構造の表面改質を示した。UV-可視スペクトルは,照射薄膜のバンドギャップが3.56eV~3.59eVの範囲であることを示した。抵抗率はフルエンスが5×10¹²イオンcm^-2までは減少し,その後増加し始めた。Rutherford後方散乱(RBS)は薄膜の組成とより高いフルエンスでの照射によるイオンビームスパッタリングを明らかにした。Copyright 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化スズ ,  重イオン照射 ,  キャラクタリゼーション ,  100-1000MeV ,  *銀 ,  *多価イオン ,  金属イオン ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *放射線効果 ,  放射線フルエンス ,  微結晶 ,  結晶粒度 ,  表面改質 ,  *光学ギャップ ,  光吸収スペクトル ,  *電気抵抗率 ,  スパッタリング ,  透明導電膜
準シソーラス用語： *高速重イオン照射

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  高速重イオン ,  誘起 ,  光学 ,  電気的性質