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J-GLOBAL ID：201302287732894626   整理番号：13A1423078

グラフェン・アンチドット格子におけるHofstadterバタフライと磁気的誘起バンドギャップクエンチング

Hofstadter butterflies and magnetically induced band-gap quenching in graphene antidot lattices

著者 (2件)： PEDERSEN Jesper Goor (Technical Univ. Denmark, Kongens Lyngby, DNK) ,  PEDERSEN Thomas Garm (Aalborg Univ., Aalborg East, DNK)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 87  号： 23  ページ： 235404.1-235404.8  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁場中に置かれたグラフェン・アンチドット格子(GAL)中の電子挙動に現れるHofstadterバタフライを,強束縛モデルと反復Green関数法を使って計算し,その結果を,簡単なギャップのあるグラフェンモデルによる計算結果と比較し論じた。ギャップのあるグラフェンモデルの最低Landau準位は,磁場に依存しなかったが,GALでは,Landau準位は磁場の影響を大きく受け,バンドギャップが完全に閉じた。さらに,ギャップが閉じる臨界磁場は,GALのサイクロトロン半径とHofstadterバタフライのネック幅の比に関係していることを見いだした。また,ここで扱った系のサイズをより大きなものに外挿する簡単なスケール則を導くことができた。このスケール則に基づいて,実験的に実現可能なサイズを持つ構造の臨界磁場を評価した。

シソーラス用語： *炭素材 ,  量子ドット ,  バンドギャップ ,  強束縛近似 ,  Green関数 ,  Landau準位 ,  スケール則 ,  *電子構造 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： アンチドット

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  ドット ,  格子 ,  バタフライ ,  磁気 ,  誘起