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J-GLOBAL ID：201302287809408967   整理番号：13A0960146

(In,Ga)₂Se₃とCuSe標的のrfスパッタリングから作成した吸収体をもつ13.6%高効率Cu(In,Ga)Se₂太陽電池

13.6%-efficient Cu(In,Ga)Se₂ solar cell with absorber fabricated by RF sputtering of (In,Ga)₂Se₃ and CuSe targets

著者 (7件)： ZHU X.l. (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 Dingxi ...) ,  WANG Y.m. (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 Dingxi ...) ,  ZHOU Z. (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 Dingxi ...) ,  LI A.m. (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 Dingxi ...) ,  ZHANG L. (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 Dingxi ...) ,  HUANG F.q. (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 Dingxi ...) ,  HUANG F.q. (Coll. of Chemistry and Molecular Engineering, Peking Univ., Beijing 100871, P.R. China)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 113  ページ： 140-143  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (In,Ga)₂Se₃とCuSe標的の逐次的rfスパッタリングとその後のSe蒸気中アニーリングで作成した吸収層をもつCu(In,Ga)Se₂(CIGS)薄膜太陽電池で,変換効率13.6%を実現した。4元CIGS標的のスパッタリングから得られたCIGS太陽電池で得られる10.8%効率に比べて,この著しい改善は,CIGS膜のより平滑な表面,優れた結晶性とよりコンパクトな構造に由来する。(In,Ga)₂Se₃/CuSe複層の反応経路を論じて結晶性が優れたCIGS膜形成には,このような複層設計がエネルギー的に有利であることを実証した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *エネルギー変換効率 ,  *スパッタ蒸着 ,  表面粗さ ,  結晶度 ,  RFスパッタリング ,  熱処理 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  X線回折
準シソーラス用語： *CIGS太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  標的 ,  RFスパッタリング ,  吸収体 ,  高効率 ,  Cu ,  太陽電池