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J-GLOBAL ID：201302287818128896   整理番号：13A1672836

Zn2+ドーピングTiO2の光電子化学的性能に及ぼす熱処理の影響

Influence of heat treatment on the photoelectron-chemical performance of Zn2+-doping TiO2

著者 (3件)： Gao Jiacheng (National Engineering Res. Center for Magnesium Alloys; Materials Sci. & Engineering Coll., Chongqing Univ., Chongqing) ,  Xie Fengyu (National Engineering Res. Center for Magnesium Alloys; Materials Sci. & Engineering Coll., Chongqing Univ., Chongqing) ,  Zhang Min (National Engineering Res. Center for Magnesium Alloys; Materials Sci. & Engineering Coll., Chongqing Univ., Chongqing)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 44  号： 6  ページ： 826-830  発行年： 2013年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： チタン基板上でZnドープTiO_2薄膜をプリカーサとして四塩化チタンおよび亜鉛の源としてZnCl_2を用いてゾル-ゲル法によって調製した。Zn-ドープTiO_2フィルムの0.2mol/LのNa_2SO_4中での光電気化学性能の熱処理温度依存性をMott-Shottky関係性,電気化学インピーダンス分光法および線形掃引ボルタンメトリの方法によって調査した。Mott-Shottky曲線からのこの結果はこの得られた膜がすべてn型半導体であり,300°Cでの膜が誘導帯域の最も高い位置と最も広い空間電荷層を有することを示した。300°C膜のEIS抵抗はイルミネーションの状態から暗い状態に最も低下した。最も強い光電流はLSV曲線から300°CでZnドープTiO_2フィルム中で発生した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 亜鉛 ,  ドーピング ,  *酸化チタン ,  光電子 ,  化学 ,  *熱処理 ,  ゾル-ゲル法 ,  温度 ,  温度依存性
準シソーラス用語： Zn ,  *TiO2 ,  熱処理温度

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドーピング ,  TiO2 ,  光電子 ,  化学 ,  熱処理