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J-GLOBAL ID：201302287840307273   整理番号：13A1925511

Alドープ酸化亜鉛透明電極を用いたガラス基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの特性評価

著者 (3件)： 孫屹 (大阪工大 ナノ材料マイクロデバイス研究セ) ,  前元利彦 (大阪工大 ナノ材料マイクロデバイス研究セ) ,  佐々誠彦 (大阪工大 ナノ材料マイクロデバイス研究セ)
資料名： 電気関係学会関西連合大会講演論文集(CD-ROM)
巻： 2013  ページ： ROMBUNNO.P-26  発行年： 2013年11月05日 
JST資料番号： L2273B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *透明電極 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  ガラス ,  *薄膜トランジスタ ,  キャラクタリゼーション ,  フラットパネルディスプレイ ,  アルミニウム添加合金 ,  レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： PLD【蒸着】 ,  ガラス基板 ,  特性評価 ,  平板ディスプレイ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (8件)： Al ,  ドープ ,  酸化亜鉛 ,  透明電極 ,  ガラス基板 ,  酸化亜鉛薄膜 ,  トランジスタ ,  特性評価