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J-GLOBAL ID：201302287895386296   整理番号：13A0478849

6H-SiC光伝導スイッチのオン状態抵抗への基板結晶性による影響

Effects of substrate crystallinity on the on-state resistance of 6H-SiC photoconductive switches

著者 (10件)： HUANG Wei (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  CHANG Shao-Hui (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LIU Xue-Chao (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SHI Biao (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  ZHOU Tian-Yu (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LIU Xi (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  YAN Cheng-Fen (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  ZHEN Yan-Qing (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  YANG Jian-Hua (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SHI Er-Wei (Shanghai Inst. Ceramics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 28  号： 1  ページ： 38-43  発行年： 2013年01月14日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC光伝導性半導体スイッチ(PCSSs)のオン状態抵抗への基板の結晶性による影響を調べた。PCSSsのオン状態抵抗には接触抵抗と固有抵抗が含まれ,主にSiC基板の性質に依存する。このため,SiC基板の品質とオン状態抵抗との関係を調べる必要がある。品質が異なる6H-SiC基板にチャネル長さが異なるPCSSsを作製し,光伝導キャパシティを測定した。SiC基板のロッキング曲線の半値幅(FWHM)とオン状態抵抗との関係を調べた。FWHMが大きくなると光伝導キャパシティは大きく減少し,光電流抵抗値は増加した。キャリヤ移動度の増加がPCSSsのオン状態抵抗の減少に重要であった。

シソーラス用語： 基板 ,  結晶度 ,  オン抵抗 ,  *炭化ケイ素 ,  光伝導 ,  *アンテナ ,  *スイッチ ,  光電流 ,  キャリア移動度 ,  電気抵抗率 ,  光電素子 ,  品質
準シソーラス用語： 6H-SiC ,  結晶品質 ,  *光伝導スイッチ ,  *半導体スイッチ

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 6H-SiC ,  光伝導スイッチ ,  オン状態 ,  結晶性