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J-GLOBAL ID：201302287928872418   整理番号：13A1156474

対向ターゲットスパッタリングによるAlをドープしたZnO薄膜の低温合成

Low temperature synthesis of Al doped ZnO thin films by facing target sputtering

著者 (6件)： SONG Doo-hoon ,  SHIN Kyung-sik ,  KIM Youn-joun ,  CHOI Yoon-seock ,  CHOI In-sik ,  HAN Jeon-geon
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 228  号： Supplement 1  ページ： S101-S106  発行年： 2013年08月15日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlをドープしたZnO(AZO)薄膜を室温でPET基板に2つの異なるスパッタリング源を同時に用いて,即ち閉磁場中で2つの対向するZnOターゲットとこの領域外に位置するAlターゲットから合成した。本システムはFTSの長所を保持するだけでなく,新しいタイプのドーピング概念を提示した。外部ドーピング源の制御によりAl濃度のより柔軟な制御が期待できる。初めに,膜特性へのガス混合物効果を調べた。高い移動度を示す高品質の結晶構造を得るため,Ar作業圧力,酸素分圧及び水素分圧を制御した。堆積後,構造的,電気的,光学的及び表面形態学的特性を調べた。結果から,ガス混合物をAr2.5mTorr,酸素分圧1.2sccm,水素分圧3sccmで最適化した。次に,Alドーピング濃度を外部Alターゲット出力密度を変えて制御した。適切なキャリヤ濃度はAlドーピングで調節でき,ドーピング反応は適切なエネルギーのAl粒子により増加した。Al出力密度は15W/cm²で最適化した。最適化条件下でAZO膜は最低の電気抵抗5.344×10^-4Ωcm,最大透過率90.2%を示した。最後に,TCO性能は13.4mΩ^-1であった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム ,  ドーピング ,  *蒸着膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  化学合成 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  プラスチックフィルム ,  結晶構造 ,  分圧 ,  酸素 ,  水素 ,  圧力制御 ,  アルゴン ,  電気抵抗率 ,  透過率 ,  光透過 ,  透明導電膜 ,  表面構造 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 光透過率 ,  酸素分圧 ,  *対向ターゲットスパッタリング ,  低温合成

分類 (2件)： 表面処理  (YH04112X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ターゲット ,  スパッタリング ,  Al ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  低温合成