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J-GLOBAL ID：201302287930867634   整理番号：13A1583329

原子状炭化物結合による優れたグラフェンネットワークの生成

Atomic Carbide Bonding Leading to Superior Graphene Networks

著者 (13件)： HUANG Wenyi (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  HUANG Wenyi (Nanomaterial Innovation Ltd, Ohio, USA) ,  YU Jianfeng (Nanomaterial Innovation Ltd, Ohio, USA) ,  KWAK Kwang Joo (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  GALLEGO-PEREZ Daniel (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  LIAO Wei-Ching (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  YANG Hao (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  OUYANG Xilian (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  LI Lei (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  LU Wu (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  LAFYATIS Gregory P. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  LEE L. James (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  LEE L. James (Nanomaterial Innovation Ltd, Ohio, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 25  号： 33  ページ： 4668-4672  発行年： 2013年09月06日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スルホン酸官能化グラフェン紙および高温シリコンゴムを真空中で加熱分解してラジカル種を発生させ,基板上への堆積によりSi-Cカーバイド結合を含むグラフェンネットワーク薄膜を形成した。極めて強く,平滑,耐腐食性,高スクラッチ抵抗性の疎水性被覆が生成した。X線回折,高分解能電子顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。FTIR,X線光電子スペクトルによりカーバイド結合を確かめた。原子間力顕微鏡測定によりYoung率165GPa,Hertz硬度345GPaを求めた。電気伝導率3.31×10⁶S/m,正孔移動度1623~4842cm²/Vsを求めた。活性種として・Si・,・SiO・,・OSiO・,・SiC・,・CSiC・などのビラジカル種を推定した。

シソーラス用語： 炭化物 ,  *炭素材 ,  *ネットワーク構造 ,  スルホン酸 ,  シリコーンゴム ,  *ラジカル反応 ,  *化学結合 ,  *薄膜 ,  平滑度 ,  耐食性 ,  耐性 ,  疎水性 ,  X線回折 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  赤外吸収スペクトル ,  原子間力顕微鏡 ,  Young率 ,  硬度 ,  電気伝導率 ,  キャリア移動度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： FTIRスペクトル ,  *Si-C結合 ,  カーバイド ,  正孔移動度 ,  耐スクラッチ性 ,  耐腐食性 ,  平滑性

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  原子とラジカルの反応  (CB06030C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子 ,  炭化物 ,  グラフェン