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J-GLOBAL ID：201302287991505530   整理番号：13A0646979

新規イオン刷込み高分子ナノビーズ及び多層カーボンナノチューブで修飾されたガラス状炭素電極を用いた水銀イオンのナノモル検知のための高度に選択的なボルタンメトリックセンサの開発

Development of a highly selective voltammetric sensor for nanomolar detection of mercury ions using glassy carbon electrode modified with a novel ion imprinted polymeric nanobeads and multi-wall carbon nanotubes

著者 (3件)： RAJABI Hamid Reza (Chemistry Dep., Yasouj Univ., Yasouj 75918-74831, IRN) ,  ROUSHANI Mahmoud (Dep. of Chemistry, Ilam Univ., Ilam, IRN) ,  SHAMSIPUR Mojtaba (Dep. of Chemistry, Razi Univ., Kermanshah, IRN)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 693  ページ： 16-22  発行年： 2013年03月15日 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規イオン刷込み高分子ナノビーズ(IIP)及び多層カーボンナノチューブ(MWCNTs)で修飾したガラス状炭素(GC)電極を用いた水銀イオンの選択的認識及び敏感な定量のためのボルタンメトリックセンサを報告した。イオン刷込み高分子は2,2-アゾビスイソブチロニトリルを開始剤として用い,メタクリル酸及びエチレングリコール-ジメタクリレートの存在下で或る量の塩化水銀と5,10,15,20-テトラキス(3-ヒドロキシフェニル)ポルフィリンを溶解させることにより調製した。有害水銀イオンの定量に対してGC-IIP-MWCNTs修飾電極の性能を調べるため微分パルスアノーディックストリッピングボルタンメトリック技術を用いた。設計された修飾電極は検出限界5.0nM及び感度4483.3nAμM^-1でHg²⁺イオンの1×10^-8-7.0×10^-4Mの領域で線形応答が示された。Hg²⁺イオンに対する修飾電極のピーク電流は酢酸緩衝液中で最大であった。前濃縮電位及び蓄積時間はそれぞれ-1.0V及び100秒と最適化された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 機能性高分子 ,  *炭素電極 ,  ナノ構造 ,  *粒状材 ,  *多層カーボンナノチューブ ,  金属イオン ,  水銀化合物 ,  *センサ ,  ボルタンメトリー ,  化学修飾電極 ,  アノーディックストリッピングボルタンメトリー
準シソーラス用語： *分子刷込高分子 ,  *ガラス状炭素電極 ,  *ナノビーズ ,  水銀イオン ,  ナノセンサ

分類 (2件)： 無機物質中の元素の電気分析  (CC05022V) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (10件)： イオン ,  刷込み ,  高分子 ,  ナノビーズ ,  多層カーボンナノチューブ ,  修飾 ,  ガラス状炭素電極 ,  水銀イオン ,  モル ,  開発