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J-GLOBAL ID：201302288045213798   整理番号：13A0752100

正孔ドープした銅酸化物の超伝導体-絶縁体転移における臨界抵抗

Critical Resistance at the Superconductor-Insulator Transition in Hole-Doped Cuprates

著者 (5件)： DUBUIS Guy (Brookhaven National Lab., Condensed Matter Physics and Materials Sci. Dep., 11973-5000, Upton, NY, USA) ,  DUBUIS Guy (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  BOLLINGER Anthony T. (Brookhaven National Lab., Condensed Matter Physics and Materials Sci. Dep., 11973-5000, Upton, NY, USA) ,  PAVUNA Davor (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  BOZOVIC Ivan (Brookhaven National Lab., Condensed Matter Physics and Materials Sci. Dep., 11973-5000, Upton, NY, USA)
資料名： Journal of Superconductivity and Novel Magnetism  (Journal of Superconductivity and Novel Magnetism)
巻： 26  号： 4  ページ： 749-754  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： W0180A  ISSN： 1557-1939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,幾つかのp型銅酸化物では,対の量子抵抗RQ=h/4e²=6.5kΩにほぼ等しい臨界シート抵抗で超伝導体-絶縁体転移(SIT)が起きることを示した。量子臨界点近傍の比較的広い温度範囲とドーピング水準で,シート抵抗は二次元の量子相転移の普遍的挙動とスケーリング特性を示す。Copyright 2012 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ドーピング ,  *酸化銅 ,  相転移 ,  絶縁材料 ,  超伝導体 ,  シート抵抗 ,  *臨界点 ,  電気抵抗 ,  *高温超伝導 ,  イオン液体 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 正孔ドーピング ,  超伝導体-絶縁体転移 ,  *銅酸化物 ,  量子相転移 ,  *量子臨界点 ,  臨界抵抗

分類 (1件)： 超伝導体の物性一般  (BM04021A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 正孔 ,  ドープ ,  銅酸化物 ,  超伝導体-絶縁体転移 ,  臨界