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J-GLOBAL ID:201302288055219786   整理番号:13A1522080

La添加ビスマスフェライト薄膜のゾル-ゲル調製法とその低温強磁性体および強誘電特性

Sol-gel preparation of La-doped bismuth ferrite thin film and its low-temperature ferromagnetic and ferroelectric properties
著者 (3件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 60-64  発行年: 2013年 
JST資料番号: W0092A  ISSN: 1002-0721  CODEN: JREAE6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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Bi_(0.85)La_(0.15)FeO_3薄膜をゾル-ゲル法でATO硝子基板上に調製した。Bi_(0.85)La_(0.15)FeO_3膜の相構造,膜面品質,イオン原子価,強誘電特性/磁気的特性に及ぼすLa添加の影響を研究した。La添加により,不純物相の形成,および常温でのFe(3+)からFe(2+)イオンへの変化が抑制された。無添加BiFeO_3と比較し,La添加により平均粒径および膜密度も増加し,膜の漏れ電流密度が減少した。La添加により,残留分極および飽和磁化が著しく増強した。Bi_(0.85)La_(0.15)FeO_3膜の残留分極が徐々に減少し,50-300Kの温度測定の低下に伴い飽和磁化が増加した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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薄膜一般 

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