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J-GLOBAL ID：201302288173633724   整理番号：13A1266396

あなたの知らないパワエレの世界 第3回 スイッチング用パワー半導体

著者 (2件)： 伊東淳一 ,  伊東洋一
資料名： トランジスタ技術
巻： 49  号： 7  ページ： 149-157  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： L3911A  ISSN： 0040-9413  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワー・エレクトロニクスにおいて重要な部分である半導体スイッチング素子について解説した。具体的には,まず,半導体スイッチング素子の役割(スイッチング増幅で低損失に電力変換すること)について説明した。次いで,パワー・エレクトロニクスで使用される半導体スイッチング素子であるサイリスタやダイオード,IGBT,MOSFETなどについて,それぞれのメリット/デメリットを紹介するとともに(サイリスタは高耐圧であるが,スイッチング制御が難しいこと,MOSFETは高速スイッチングが可能であるが,損失に注意が必要であること等),これらの半導体スイッチング素子をうまく利用するためのポイントを明らかにした(低圧にはMOSFET,高圧にはIGBTが向いていること,モジュールを使うと便利であること等)。さらに,太陽光発電用インバータで使用する場合を想定して,半導体スイッチング素子の選定方法について述べた。

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  *スイッチング素子 ,  IGBT ,  サイリスタ ,  MOSFET ,  半導体素子 ,  技術展望
準シソーラス用語： パワー半導体

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 世界 ,  スイッチング ,  パワー半導体