文献

J-GLOBAL ID：201302288330267605   整理番号：13A1507285

パラジウム薄膜を浸透するときの巨大な水素誘起抵抗スイッチング

Huge hydrogen-induced resistive switching in percolating palladium thin films

著者 (3件)： WAGNER Stefan ,  HAMM Magnus ,  PUNDT Astrid
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 69  号： 10  ページ： 756-759  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属の水素吸収は体積膨張を引き起こし,相変態と共に急激に増大する。この効果は,不連続パラジウム薄膜の水素誘起パーコレーションをシミュレートでき,膜の電気抵抗率の低下をもたらす。最適化された形態(1.5nm厚みの蛇行膜,約14nmの島々の間隔)を持つパラジウム膜の大気への長期間曝露と繰り返し水素負荷は蛇行接続を変え,それ故に,狭い圧力範囲で-5900%に及ぶ膜抵抗スイッチングを増大させることを示している。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *パラジウム ,  *薄膜 ,  *水素吸蔵 ,  *電気抵抗率 ,  *パーコレーション ,  ナノ構造 ,  計算機シミュレーション ,  蒸着膜
準シソーラス用語： 体積膨張 ,  有限要素シミュレーション

分類 (1件)： その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： パラジウム ,  薄膜 ,  浸透 ,  水素 ,  誘起 ,  抵抗スイッチング