文献

J-GLOBAL ID：201302288341033177   整理番号：13A1035309

薄膜素子用の自己集合アルカンチオールで修飾したフッ素ドープ酸化スズ表面

Fluorine-doped tin oxide surfaces modified by self-assembled alkanethiols for thin-film devices

著者 (4件)： ALVES A.c.t. ,  GOMES D.j.c. ,  SILVA J.r. ,  SILVA G.b.
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 279  ページ： 67-70  発行年： 2013年08月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FTO表面上のアルカンチオールの自己集合単分子層を調べ,これをアノードとして,導電性共重合体,いわゆるスルホン化ポリ(チオフェン-3-[2-(2-メトキシエトキシ]エトキシ-2,5-ジイル)(S-P3MEET)から薄膜素子を作製した。集合単分子層を濡れ接触角,原子間力顕微鏡,電気測定によって評価した。ドデカンチオール分子,CH₃(CH₂)₁₁SHはFTO上によく集合していた。また,FTOとAuのいずれの表面でも集合したドデカンチオールの接触角は同程度であった。薄膜素子との関連で,電流電圧特性はヒステリシスを示した。この挙動は電荷トラップ効果と関連し,SAMの構造変化とも関係があった。最後に,酸化スズ電極の電荷注入能力がSAM使用により改善するため,この方式は分子スケールの電子素子において大きな役割を果たし得る。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チオール ,  化学修飾 ,  *酸化スズ ,  *フッ素 ,  *ドーピング ,  *単分子層 ,  金 ,  キャリア捕獲 ,  共重合体 ,  *接触角 ,  化合物半導体 ,  *導電性高分子 ,  顕微鏡観察 ,  スルホン化 ,  ポリチオフェン ,  濡れ ,  高分子薄膜 ,  *分子素子
準シソーラス用語： 原子間力顕微鏡法 ,  *自己集合単分子層

分類 (3件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (2件)： 1-ドデカンチオール ,  1-ヘキサンチオール

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜素子 ,  自己集合 ,  アルカンチオール ,  修飾 ,  フッ素ドープ酸化スズ