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J-GLOBAL ID:201302288381450293   整理番号:13A0503199

In_2O_3:W透明導電膜の光学及び電気特性に及ぼすドーパント濃度の影響

Effects of dopant content on optical and electrical properties of In_2O_3: W transparent conductive films
著者 (6件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 168-171  発行年: 2012年 
JST資料番号: C2573A  ISSN: 1001-0521  CODEN: RARME8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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W濃度が異なるIn_2O_3:W薄膜を直流スパッタリング法を用いて硝子基板に堆積した。構造,表面モホロジー,光学及び電気特性を研究した。試験結果から,Wのドーピング量が増加するとキャリアー濃度とキャリア移動度の両方が増加することがわかった。2.8重量%の濃度で,1.0×10(-3)cmの最低抵抗値,43.7cm2V(-1)s(-1)の最大キャリア移動度,および1.4×10(20)cm(-3)のキャリアー濃度を得た。300nmから900nmの平均光透過率は87.6%に達した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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薄膜一般 
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