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J-GLOBAL ID：201302288427440174   整理番号：13A1591319

化学浴析出で析出したCdSeナノ結晶薄膜の合成および特性評価

Synthesis and characterization of CdSe nanocrystalline thin films deposited by chemical bath deposition

著者 (4件)： ZHAO Yu ,  YAN Zhiqiang ,  LIU Jun ,  WEI Aixiang
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 16  号： 6  ページ： 1592-1598  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それぞれ錯化剤としてアンモニアおよびトリエタノールアミン(TEA)を用い,Cd²⁺源およびSe^2-源として塩化カドミウムおよびセレン硫酸ナトリウムを用いて,化学浴析出によりセレン化カドミウム(CdSe)ナノ結晶薄膜を作製した。走査電子顕微鏡法(SEM),エネルギー分散分光計(EDS),X線回折(XRD)測定,透過電子顕微鏡法(TEM)およびUV-可視分光測光器測定を用いて,前駆体中のセレン硫酸ナトリウム濃度やアンモニア濃度の関数としてCdSeナノ結晶薄膜の構造特性および光学特性を調べた。その結果,CdSe薄膜は純粋な立方相をしており,多数の均一な球状粒子から構成されていることを明らかにする。各球状粒子は微結晶サイズが3-10nmの多数のナノ結晶を含む。アンモニア濃度の増加と共に,球状粒子の平均直径とナノ結晶の微結晶サイズとの両方が増加する。CdSe薄膜のSe/Cd原子比は最初は増加し,次にセレン硫酸ナトリウム濃度やアンモニア濃度の増加と共に減少する。CdSe薄膜の光学的バンドギャップはアンモニア濃度の増加と共に減少する。析出中のCdSeナノ結晶薄膜の反応速度および反応機構を検討する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： セレン化カドミウム ,  *化合物半導体 ,  ナノ結晶 ,  *結晶成長 ,  キャラクタリゼーション ,  *錯体生成 ,  *薄膜成長 ,  微細構造 ,  構造解析 ,  アンモニア ,  濃度依存性 ,  ナノ粒子 ,  フォトニックバンドギャップ ,  反応速度
準シソーラス用語： 光バンドギャップ ,  錯化反応

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学浴析出 ,  析出 ,  CdSe ,  ナノ結晶薄膜 ,  特性評価