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文献
J-GLOBAL ID:201302288449069577   整理番号:13A1304984

ものづくりのための接合技術 原子拡散接合法を用いたウエハの室温接合とデバイス応用

著者 (3件):
資料名:
巻: 79  号:ページ: 710-713  発行年: 2013年08月05日
JST資料番号: F0268C  ISSN: 0912-0289  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本報では,原子拡散接合法の接合方法,接合に用いる金属薄膜の種類と接合界面の構造,およびTi薄膜を用いた接合を例にした原子拡散接合法の基本的な接合性能について紹介し解説した。主な内容項目を次に示した。1)はじめに:ウエハの室温接合技術の電子デバイス,光学デバイス,MEMS,パワーデバイスなどの作製での重要性,原子拡散接合法の機能と利点など,2)原子拡散接合法の基本プロセス:基本プロセスの模式図,3)接合膜の種類と接合後の界面構造:典型的な6種類の金属薄膜を用いて接合した場合の断面構造のTEM観察結果(Ti-Ti,Al-Al,Pt-Pt,Cr-Cr,Ta-Ta,W-W),4)接合時の真空度:Au薄膜(片側20nm)を用いてSiウエハを接合した際の断面TEM写真,5)ウエハの接合強度,6)接合に用いる膜厚と接合性能:膜厚0.05nmから160nmのTi薄膜を用いて接合した2インチ水晶ウエハ(厚み0.5mm)の写真,Ti薄膜を用いて接合した水晶ウエハの接合エネルギーのTi膜厚依存性,片側あたりのTi膜厚δ=50nmで水晶ウエハを接合した際のTi-Ti接合界面近傍の断面TEM写真など,7)ウエハの材質と表面粗さ:目安としてRaが1nm以下であれば接合可能で,Raが0.5nm以下であれば1nm以下の金属薄膜を用いた接合の可能な場合が多いことなど。
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分類 (1件):
分類
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (16件):
  • 1) T. Suga, K. Miyazawa and Y. Yamagata : MRS Internal Meeting on Advanced Materials, Materials Research Society, 8 (1989) 257.
  • 2) T. Suga, Y. Takahashi, H. Takagi, B. Gibbesch and G. Elssner : Acta Metall. Mater., 40 (1992) s133.
  • 3) H. Takagi, K. Kikuchi, R. Maeda, T. R. Chung and T. Suga : Appl. Phys. Lett., 68 (1996) 2222.
  • 4) T. Shimatsu, R. H. Mollema, D. Monsma, E. G. Keim and J. C. Lodder : J. Vac. Sci. Technol. A, 16 (1998) 2125.
  • 5) T. Shimatsu and M. Uomoto : J. Vac. Sci. Technol., B, 28 (2010) 706.
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