クロムの酸化状態を制御するために異なる酸素部分圧下の光学式浮遊帯域法によって成長させたNd:Cr:YVO<sub>4</sub>単結晶

BHAUMIK Indranil; GANESAMOORTHY Sarveswaran; BHATT Rajeev; SAXENA Amit; KARNAL Ashwani Kumar; GUPTA Pradeep Kumar

文献

J-GLOBAL ID：201302288480350748 整理番号：13A1644340

クロムの酸化状態を制御するために異なる酸素部分圧下の光学式浮遊帯域法によって成長させたNd:Cr:YVO₄単結晶

Growth of Nd:Cr:YVO₄ Single Crystals by the Optical Floating Zone Technique under Different Oxygen Partial Pressures to Control the Oxidation State of Chromium

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資料名：
巻： 13 号： 9 ページ： 3878-3883 発行年： 2013年09月
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

異なる酸素部分圧下の光学式浮遊帯域(OFZ)法によって1.4%のCrと0.7%のNdを共ドープしたYVO₄の単結晶を析出した。この単結晶の透過スペクトル中にNd³⁺イオンの鋭い吸収線と共にCr⁵⁺による幅広い吸収帯を観測した。1100nm付近の幅広いバンド(²A₁→²B₂遷移)はこの結晶が自己Q切り換えレーザー材料であることを示している。OFZ法によるこの結晶には酸素空孔が少ないので,Czochralski(Cz)法によって成長した結晶と比べるとこの結晶のバンド吸収係数は相当大きくなった。さらに,²A₁→²B₂遷移バンドの増大は酸素を連続的に流してアニーリングすると格子中の酸素空孔と競合して+5状態のCrイオンの数が増大することを表している。²A₁→²B₂遷移の吸収は結晶の成長状態で酸素量が増えるとさらに増大した。従って,OFZ法によってこの結晶が自己Q切り換え成長すると+5状態のCrイオンが極大値に達しやすいことがわかった。酸素大気下のCz法によって成長した結晶も+5状態のCrイオンの数は増大したが,固体状態の拡散によって結晶はそれほど厚くならなかった。バンドギャップエネルギーのレッドシフトが観測されたが,これは格子中のNd挿入によるもので,Crは影響を及ぼしてはいない。

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固-液界面 , その他の無機化合物の結晶成長 , 固体レーザ , 無機化合物の可視・紫外スペクトル

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クロムの酸化状態を制御するために異なる酸素部分圧下の光学式浮遊帯域法によって成長させたNd:Cr:YVO4単結晶

クロムの酸化状態を制御するために異なる酸素部分圧下の光学式浮遊帯域法によって成長させたNd:Cr:YVO₄単結晶