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J-GLOBAL ID：201302288491923502   整理番号：13A1578031

Si(001)基板におけるナノコンタクトエピタクシによって成長したGe膜の評価

Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy

著者 (8件)： IKEDA Wataru (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAMURA Yoshiaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAMURA Yoshiaki (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  OKAMOTO Shogo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAKEUCHI Shotaro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIKKAWA Jun (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ICHIKAWA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAKAI Akira (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 9,Issue 1  ページ： 095503.31-095503.4  発行年： 2013年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノコンタクトエピタクシによってSi(001)基板上に成長したGe膜の定量的な評価を行った。ナノコンタクトエピタクシは3段階で構成される:弾性的に歪緩和したナノドット(ND)の形成,表面平坦化のための2番目の層成長,および高い結晶性のための最終的な層成長。X線回折の結果は,格子ミスマッチによる歪は100nmの薄いGe膜中でが0:05%の程度までほぼ完全に緩和し,NDsの上の膜(2番目および最終的な層)の成長条件からは独立していることを示した。これはひずみ緩和は弾性的に歪緩和したNDの形成で引き起こされるというメカニズムを支持する。また,それは簡単な弾性理論計算および平面透過型電子顕微鏡検査によって確かめられた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *ゲルマニウム ,  半導体薄膜 ,  弾性 ,  *緩和現象 ,  ナノ構造 ,  X線回折 ,  格子不整合 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： ナノドット ,  *歪緩和

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  構造動力学  (HD02000E)

引用文献 (31件)：

• L. Colace, G. Masini, F. Galluzzi, G. Assanto, G. Capellini, L. Di Gaspare, E. Palange, and F. Evangelisti: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 3175[AIP Scitation].
• J. Feng, R. Woo, S. Chen, Y. Liu, P. B. Griffin, and J. D. Plummer: IEEE Electron Device Lett. 28 (2007) 637.
• Y. Chriqui, L. Largeau, G. Patriarche, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, I. Sagnes, D. Bensahel, Y. Campidelli, and O. Kermarrec: J. Cryst. Growth 265 (2004) 53.
• J. G. Cederberg, D. Leonhardt, J. J. Sheng, Q. Li, M. S. Carroll, and S. M. Han: J. Cryst. Growth 312 (2010) 1291.
• D. J. Eaglesham and M. Cerullo: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 2276.

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ナノコンタクト ,  エピタクシ ,  成長 ,  Ge ,  評価