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J-GLOBAL ID：201302288524432852   整理番号：13A1449265

低電子密度SrTiO₃での伝導バンド端とShubnikov-de Haas効果

Conduction-band edge and Shubnikov-de Haas effect in low-electron-density SrTiO₃

著者 (8件)： ALLEN S.James (Univ. California, California, USA) ,  JALAN Bharat (Univ. California, California, USA) ,  LEE SungBin (Univ. California, California, USA) ,  OUELLETTE Daniel G. (Univ. California, California, USA) ,  KHALSA Guru (Univ. Texas at Austin, Texas, USA) ,  JAROSZYNSKI Jan (Florida State Univ., Florida, USA) ,  STEMMER Susanne (Univ. California, California, USA) ,  MACDONALD Allan H. (Univ. Texas at Austin, Texas, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 4  ページ： 045114.1-045114.7  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高移動度であるが低密度のLaドーピングSrTiO₃サンプルで測定された低温Shubnikov-de Haas効果が正方誘起バンド端分裂と低エネルギーLuttingerバンド端パラメータを決定するために使用された。結果はUweらによる以前の測定[Jpn.J.Appl.Phys.24(Suppl.24-2),335(1985)]と実質的に一致する。バンド端Luttingerパラメータはab initio計算によって予測されたものと実質的に異なり,計算されたバンド構造の調査,そして/あるいは電子-フォノン結合による質量増強を必要とする。より高いキャリア密度サンプルでの類似の実験はスピン-軌道相互作用の強さの独立の測定を提示できる可能性がある。

シソーラス用語： *チタン酸ストロンチウム ,  ドーピング ,  ランタン ,  電子密度 ,  *Shubnikov-de Haas効果 ,  バンド構造 ,  スピン-軌道相互作用 ,  *電子-フォノン相互作用

分類 (2件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子密度 ,  伝導 ,  バンド端