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J-GLOBAL ID：201302288527605030   整理番号：13A0081097

0.1um NMOS 2port高周波ノイズパラメータのための雑音モデルの検討

On Noise Modeling for 0.1um NMOS 2port RF Noise Parameters

著者 (4件)： 新津陽一郎 (東芝S&S社) ,  藤井史恵 (東芝S&S社) ,  吉富貞幸 (東芝S&S社) ,  大黒達也 (東芝S&S社)
資料名： 電気学会電子回路研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： ECT-12  号： 87-97.99-104  ページ： 51-56  発行年： 2012年12月21日 
JST資料番号： X0578A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MOSFETがRFアナログ分野で使用されることが増えてきたが,その際重要なのは雑音特性である。本稿では,0.1μmバルクCMOS相当のNMOSトランジスタの2次元デバイスシミュレーションを行ない,熱雑音特性を調査した。基板コンタクト-チャンネル間距離を30μmまで拡大させ基板抵抗を大きくすると,等価抵抗R_nの周波数依存性にハンプが観察された。このハンプのトランジスタの幾何学的サイズ依存性,バイアス依存性,およびソース・ドレイン接合容量依存性を調査し,これらを考慮してBSIM4モデルを使用したモデリングを行なった。

シソーラス用語： モデル ,  雑音 ,  *MOSFET ,  *雑音特性
準シソーラス用語： *高周波ノイズ ,  *雑音モデル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音理論  (ND04020U)

引用文献 (7件)：

• (1) R.P.Jindal "Compact Noise Models for MOSFETs," IEEE Trans. on Electron Devices, Vol.53, No.9 pp.2051 (2006)
• (2) F.Faccio, F.Anghinolfi, E.H.M.Heijne, P.Jarron, and S.Cristoloveanu "Noise Contribution of the Body Resistance in Partially-Depleted SOI MOSFET's," IEEE Trans. on Electron Device, Vol.45, No.5 pp.1033 (1998)
• (3) F.Bonani, G.Ghione, M.R.Pinto, and R.K.Smith "An Efficient Approach to Noise Analysis Through Multidimensional Physics-Based Models," IEEE Trans. on Electron Devices, Vol.45, No.1 pp.261 (1998)
• (4) H.Hillbrand and P.H.Russer : "An Efficient Method for Computer Aided Noise Analysis of Linear Amplifier Networks," IEEE Trans. on Circuits and Systems, Vol.CAS-23, No.4 pp.235 (1976)
• (5) H.Hillbrand and P.H.Russer : "Correction to 'An Efficient Method for Computer Aided Noise Analysis of Linear Amplifier Networks'," IEEE Trans. on Circcuits and Systems, Vol.CAS-23, No.11 pp.691 (1976)

タイトルに関連する用語 (4件)： NMOS ,  高周波ノイズ ,  パラメータ ,  雑音モデル