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J-GLOBAL ID：201302288543324688   整理番号：13A1336839

ステンレス鋼基板に堆積したCu(In,Ga)Se₂薄膜の選択配向

Preferred orientation of Cu(In,Ga)Se₂ thin film deposited on stainless steel substrate

著者 (6件)： LI Bo-Yan (Nankai Univ., Tianjin, CHN) ,  ZHANG Yi (Nankai Univ., Tianjin, CHN) ,  WANG He (Nankai Univ., Tianjin, CHN) ,  WANG Biao (Nankai Univ., Tianjin, CHN) ,  WU Li (Nankai Univ., Tianjin, CHN) ,  SUN Yun (Nankai Univ., Tianjin, CHN)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 21  号： 5  ページ： 838-848  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)薄膜をMo被覆したステンレス鋼箔に堆積した。膜成長時の第一ステップにおける温度とSe対金属フラックス比のような成長パラメータがCIGS膜の選択方位におよぼす影響を調べ,得られた結果を双極子モーメントの理論で解釈した。さらに,素子パラメータとCIGS吸収体の選択方位の度合との関係を分析した。試料薄膜の方位が先行体(In,Ga)₂Se₃の組織に強く依存することが分かった。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  半導体薄膜 ,  金属箔 ,  ステンレス鋼 ,  基板 ,  被覆 ,  モリブデン ,  *パラメータ ,  双極子モーメント ,  *優先配向 ,  前駆体 ,  *真空蒸着 ,  基板温度 ,  フラックス【流束】
準シソーラス用語： *CIGS ,  化合半導体 ,  生長パラメータ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ステンレス鋼 ,  堆積 ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  選択配向