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J-GLOBAL ID：201302288553767049   整理番号：13A0794477

パワーエレクトロニクスにおけるシリコン,炭化ケイ素及び窒化ガリウムの役割

The role of silicon, silicon carbide and gallium nitride in power electronics

著者 (8件)： TREU M. (Infineon Technol. Austria AG, Villach, AUT) ,  VECINO E. (Infineon Technol. AG, Am Campeon, DEU) ,  PIPPAN M. (Infineon Technol. Austria AG, Villach, AUT) ,  HAEBERLEN O. (Infineon Technol. Austria AG, Villach, AUT) ,  CURATOLA G. (Infineon Technol. Austria AG, Villach, AUT) ,  DEBOY G. (Infineon Technol. Austria AG, Villach, AUT) ,  KUTSCHAK M. (Infineon Technol. Austria AG, Villach, AUT) ,  KIRCHNER U. (Infineon Technol. Austria AG, Villach, AUT)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 147-150  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクスにおける三つの基底材料,シリコン,炭化ケイ素及び窒化ガリウム比較を行った。SiC及びGaNスイッチは,出力容量に蓄積された電荷及び低いゲート電荷の点で,Siと異なっていた。今日のSi素子概念において,蓄積電荷は,多かれ少なかれ,物理定数のように振舞うらしい。したがって,SiC及びGaNは,タイプ2及びタイプ3回路における大きな改善を可能にする可能性を明確にもっている。それにもかかわらず,Siは,依然として良好な進展を示している。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  *パワーエレクトロニクス ,  半導体材料 ,  電流制限 ,  半導体チップ ,  電気抵抗率 ,  スイッチ ,  ターンオン ,  ターンオフ ,  MOSFET ,  電力トランジスタ ,  ヒートシンク ,  IGBT

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： パワーエレクトロニクス ,  シリコン ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  役割