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J-GLOBAL ID:201302288555829645   整理番号:13A1196254

単一源前駆体から調製した硫化ビスマスナノプレートを基とするダイナミックランダムアクセスメモリデバイス

Dynamic random access memory devices based on bismuth sulfide nanoplates prepared from a single source precursor
著者 (7件):
資料名:
巻: 15  号: 27  ページ: 11554-11558  発行年: 2013年07月21日 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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オレイン酸とジメチルスルホキシドのモル比1:1の混合溶媒中で単一源前駆体カルバゾール-9-カルボジチオ酸ビスマスBi(DTCA)3の単一源前駆体法(解離-沈殿法)によりBi2S3ナノプレートを合成した。得られたBi2S3ナノ構造のキャラクタリゼーションをした。このBi2S3ナノプレートの電流電圧特性からダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)能力が示された。
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分類 (3件):
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塩  ,  その他の無機化合物の結晶構造  ,  固体デバイス材料 
物質索引 (3件):
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