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J-GLOBAL ID：201302288604941030   整理番号：13A0493131

AlGaN/GaN-HEMTに対するプラズマ強化原子層蒸着(PEALD)成長AlNパッシベーションの機構:分極電荷による界面トラップの補償

Mechanism of PEALD-Grown AlN Passivation for AlGaN/GaN HEMTs: Compensation of Interface Traps by Polarization Charges

著者 (6件)： HUANG Sen (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  HUANG Sen (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  JIANG Qimeng (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  YANG Shu (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  TANG Zhikai (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHEN Kevin J. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 2  ページ： 193-195  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNベースHEMTは分極表面から短距離(すなわち~20nm)におけるチャネルを特徴とし,電流コラプスなど表面状態誘起有害効果を受けやすい。本研究ではAlGaN/GaN-HEMTに対するプラズマ強化原子層蒸着(PEALD)成長AlNパッシベーションの物理機構を組織的に研究し,遅い界面捕獲順位を補償するため,パッシベーション材料の分極電荷を使った新しいパッシベーション方式を提案した。AlN/III窒化物界面において単結晶類似PEALD-AlNによって,3.2×10¹³e/cm²という高い正の分極電荷が誘起されることが確かめられた。これら正の分極電荷は負の界面捕獲電荷を有効に打消し,仮想ゲート効果を除去できた。

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  化学蒸着 ,  *HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  不動態化
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  AlN ,  パッシベーション ,  *プラズマ強化化学蒸着 ,  原子層化学蒸着

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (12件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  プラズマ ,  強化 ,  原子層蒸着 ,  成長 ,  AlN ,  パッシベーション ,  分極電荷 ,  界面トラップ ,  補償