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J-GLOBAL ID：201302288613315398   整理番号：13A0343874

スプレー熱分解堆積法によるCuInS₂薄膜の合成

Synthesis of CuInS₂ thin films by spray pyrolysis deposition system

著者 (3件)： HUSSAIN K. M. A. (Atomic Energy Centre, Bangladesh Atomic Energy Commission, Materials Sci. Div., 1000, Dhaka, Bangladesh) ,  PODDER J. (Bangladesh Univ. of Engineering & Technol., Dep. of Physics, 1000, Dhaka, Bangladesh) ,  SAHA D. K. (Atomic Energy Centre, Bangladesh Atomic Energy Commission, Materials Sci. Div., 1000, Dhaka, Bangladesh)
資料名： Indian Journal of Physics  (Indian Journal of Physics)
巻： 87  号： 2  ページ： 141-146  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： A1467A  ISSN： 0973-1458  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： インド (IND)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所的に作製できるスプレー熱分解堆積法システムによって二硫化銅インジウム(CuInS₂)薄膜をガラス基板上に堆積させた。エネルギー分散型X線(EDAX)分光法,走査型電子顕微鏡(SEM)法,X線回折(XRD)およびUV-VIS-NIR分光測定を用いて,薄膜の特性を評価した。XRDパターンは,作製しているCuInS₂薄膜が黄銅鉱構造であることを示した。格子定数とFWHM値はJCPDS270159ファイルの基準値によって確かめられた。EDAX分析は1.14:1:1.88(CIS-2)薄膜の化学量論比を示した。SEM分析は,薄膜の平均粒径が100-800nmであり,XRDデータの平均粒径は30-50nmの値を示した。薄膜の高い吸収係数と1.48eVのバンドギャップは,薄膜が太陽電池の発電用途のための吸収体として役に立つのを示す。Copyright 2012 Indian Association for the Cultivation of Science Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *熱分解 ,  *硫化物 ,  *銅化合物 ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  ガラス ,  *液相成長 ,  薄膜成長 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  近赤外スペクトル ,  紫外可視吸収スペクトル ,  黄銅鉱型結晶 ,  格子定数 ,  FWHM ,  粒径 ,  バンドギャップ ,  *太陽電池 ,  吸収係数
準シソーラス用語： スプレー熱分解 ,  走査型電子顕微鏡 ,  UV-vis-NIRスペクトル ,  光吸収係数

分類 (6件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： スプレー熱分解 ,  堆積 ,  CuInS2 ,  薄膜