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J-GLOBAL ID：201302288669491830   整理番号：13A0564236

La添加Bi₄Ti₃O₁₂薄膜の強誘電特性と微細構造

Ferroelectric Property and Microstructures of La-doped Bi₄Ti₃O₁₂ Thin Films

著者 (4件)： MEI X. A. (Hunan Inst. Sci. and Technol., Yueyang, CHN) ,  LIU R. F. (Hunan Inst. Sci. and Technol., Yueyang, CHN) ,  HUANG C. Q. (Hunan Inst. Sci. and Technol., Yueyang, CHN) ,  LIU J. (Hunan Inst. Sci. and Technol., Yueyang, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 537  ページ： 114-117  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/Ti/SiO₂/Si基板上に,Bi_4-xLa_xTi₃O₁₂膜をマグネトロンスパッタリング法により作製した。酸素雰囲気中650°Cで1時間アニール後,XRD,SEM観察と共に強誘電ヒステリシスループと電流-電圧曲線の測定を行った。全ての膜がBi層状ペロブスカイト型単相構造を有し,LaはBi³⁺に置換していることを示した。x=0.25および1.0の試料は大きいリーク電流を示し,x=0.5および0.75の試料の電流-電圧曲線はオーミックで,飽和したヒステリシス曲線を示した。x=0.75の試料の残留分極と抗電場は,それぞれ20μC/cm²と85KV/cm以上であることを明らかにした。

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  *ランタン化合物 ,  ドーピング ,  *誘電体薄膜 ,  基板 ,  白金 ,  チタン ,  酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  焼なまし ,  *強誘電性 ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  *微細構造
準シソーラス用語： アニール ,  チタン酸ビスマス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： La ,  薄膜 ,  強誘電特性 ,  微細構造