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J-GLOBAL ID：201302288678598729   整理番号：13A0152634

MeVエネルギーのイオンにより試験された単結晶CVDダイアモンド検出器の耐放射線性

Radiation hardness of single crystal CVD diamond detector tested with MeV energy ions

著者 (3件)： ZAMBONI Ivana ,  PASTUOVIC Zeljko ,  JAKSIC Milko
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 31  ページ： 65-71  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販の高純度単結晶ダイアモンド検出器(1mm²面積,500μm厚さ)の分光学的特性をMeVエネルギー領域の収束イオンビーム(H,HeおよびCイオン)を用いて研究した。2MeVプロトン検出に対して測定された1.3%(FWHM=25keV)の相対エネルギー分解能はCVDダイアモンドの優れた分光学的性能を示しており,軽イオンおよび原子の検出に有効としている。ダイアモンド検出器の耐放射線性を試験するために,6.5MeVの収束イオンビームを10¹¹イオン/cm²までのフルエンスで選択的に照射した。マイクロプローブ単一イオン技術IBIC(イオンビーム誘起電荷)を用いてイオンフルエンスの信頼性ある測定を達成した。ダイアモンド検出器に選択的な損傷領域を作る照射の後,低電流モードのIBIC顕微鏡検査を行い,電荷収集効率(CCE)の劣化を測定した。照射後の検出器性能のより良い理解を得るために,損傷層の広がりよりも小さい,等しいおよび大きい飛程の終端を持つ異なるイオンをIBICプローブとして用いた。ダイアモンドとシリコンの耐放射線性を直接比較するために,全く同様の照射とIBIC顕微鏡検査の実験方法を検出器グレードシリコンPINダイオードに対して行った。示された結果は,短い飛程の重イオンの分光法に対して単結晶CVDダイアモンドの耐放射線性は高抵抗シリコンと比較して小さいこと示した。それは,高エネルギー粒子にダイアモンド検出器を暴露した時に得られた結果と正反対である。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *単結晶 ,  *ダイヤモンド ,  *化学蒸着 ,  *検出器 ,  *耐放射線性 ,  *集束イオンビーム ,  検出 ,  *陽子 ,  イオンビーム ,  ビーム集束 ,  効率 ,  半導体放射線検出器 ,  DLC膜 ,  光学的性質 ,  誘導 ,  電荷 ,  CVDダイヤモンド ,  電荷収集効率 ,  マイクロイオンビーム ,  *陽子検出 ,  分光特性 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： IBIC ,  イオンマイクロビーム ,  *プロトン検出 ,  収束イオンビーム ,  分光学的性質 ,  誘起

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (7件)： エネルギー ,  イオン ,  試験 ,  単結晶 ,  CVDダイアモンド ,  検出器 ,  耐放射線性