SIMS形状測定で調べた照射下UO<sub>2</sub>中のキセノン移行

MARCHAND B.; MARCHAND B.; MONCOFFRE N.; PIPON Y.; PIPON Y.; BERERD N.; BERERD N.; GARNIER C.; RAIMBAULT L.; SAINSOT P.; EPICIER T.; DELAFOY C.; FRACZKIEWICZ M.; GAILLARD C.; TOULHOAT N.; PERRAT-MABILON A.; PEAUCELLE C.

文献

J-GLOBAL ID：201302288761640575 整理番号：13A1283063

SIMS形状測定で調べた照射下UO₂中のキセノン移行

Xenon migration in UO₂ under irradiation studied by SIMS profilometry

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資料名：
巻： 440 号： 1-3 ページ： 562-567 発行年： 2013年09月
JST資料番号： D0148A ISSN： 0022-3115 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

加圧水型原子炉の運転中に生成される核分裂生成物(FP)の約25%は,キセノンとクリプトンである。それらは,核燃料中の溶解性が低く,以下のいずれかを行う。(i)気泡に凝集し燃料ペレットの機械的ストレスを誘発する。(ii)ペレットから放出され,被覆管内の圧力を増加させ,ペレットと被覆との間のギャップの熱伝導率を低下させる。核燃料に関する50年間の研究の後でも,核分裂ガス放出(FGR)のすべてのメカニズムはまだ完全には理解されていない。本論文では,熱効果と照射効果を切り離し,初めての形状計測によるキセノン挙動評価によってFGRの仕組みを研究することを目指している。サンプルには最初に140nmの投影範囲に相当する800keVの¹³⁶Xeを注入する。それらはその後,温度範囲1400-1600°Cでアニールされるか,または室温(RT)あるいは600°C以上あるいは1000°Cで重エネルギーイオン(182MeVのヨウ素)を照射された。UO₂に注入されたキセノンの深さプロファイルは,二次イオン質量分析(SIMS)によって決定される。キセノンは1000°Cで照射中に移動可能であることが示される。対照的に,熱処理は,どのようなキセノン移行プロセスも誘発しない。これらの結果は,透過型電子顕微鏡により観察されたキセノン気泡の形成に相関している。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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燃料要素

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SIMS形状測定で調べた照射下UO2中のキセノン移行

SIMS形状測定で調べた照射下UO₂中のキセノン移行