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J-GLOBAL ID:201302288770185082   整理番号:13A0580438

ガラス上のゾル-ゲル型ナノ構造化Cr(III)ドープ酸化インジウムスズ膜の合成及びその光学及び磁気特性評価

Synthesis of sol-gel based nanostructured Cr(III)-doped indium tin oxide films on glass and their optical and magnetic characterizations
著者 (6件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 1029-1034  発行年: 2013年03月 
JST資料番号: W0468A  ISSN: 0925-3467  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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シリカガラス上に堆積したゾル-ゲル型ナノ構造化Cr(III)ドープ酸化インジウムスズ(ITO)膜(In:Sn:Cr=84.6:9.4:6.0)を350°C,450°C,600°C700°C,900°Cで硬化させた。EDX,吸収スペクトル,TEM画像はITOのBohr半径に近いCr(III)ドープITOナノクラスタの形成を裏付けた。吸収,光ルミネセンス(PL),Ramanスペクトルにより,励起子とフォノンの相互作用を調べた。PLスペクトルの衛星ピーク間の光子エネルギーからフォノン振動を予測した。マトリックスのs-p状態及びCr(III)のd状態間の強い混成は,励起子及び格子振動から明らかにされたように,安定な励起子-フォノン結合をもたらした。室温強磁性がこの膜で観測された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (5件):
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半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス  ,  励起子  ,  磁区・磁化過程一般  ,  磁性材料 

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